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金属氧化场效应晶体管
高压 MOSFET (≥ 400V)

高压 MOSFET (≥ 400V)

高压技术平台分「平面」及「超结」两个主流,后者又再分多层外延及深沟槽两类。

因应快充充电、AC / DC 电源、电机驱动、电源逆变等应用,金沙娱场城官网js06 提供下面列表里的高压 N 沟道 MOSFETs 予电路工程师选用。
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